TECHNOLOGY - познавательный журнал

Technology - Познавательный Журнал
23 июля 2016

Samsung приступила к массовому производству первых SSD NVMe объемом 512 ГБ, выполненных в виде микросхем BGA

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первых твердотельных накопителей с интерфейсом NVM Express (NVMe), выполненных в виде микросхем в корпусе типа BGA.
В каталоге производителя эти накопители получили обозначение PM971-NVMe, они отличаются невероятно компактными размерами и предназначены для следующего поколения ПК и ультратонких ноутбуков с высокой плотностью компоновки.

В крошечном корпусе PM971-NVMe поместились шестнадцать 48-слойных чипов памяти Samsung 3D V-NAND плотностью 256 Гбит каждый, один 20-нанометровый чип LPDDR4 DRAM плотностью 4 Гбит и высокопроизводительный контроллер. То есть, все ключевые компоненты SSD.

Будучи в 100 раз меньше обычного накопителя типоразмера 2,5 дюйма с интерфейсом SATA 6 Гбит/с, новинка имеет более высокие скоростные характеристики. Так, в режиме последовательного чтения скорость достигает значения 1500 МБ/с, а в режиме последовательной записи — 900 МБ/с. Само собой, оба значения указаны с учетом использования фирменной технологии кэширования TurboWrite. Получается, что на передачу видеофайла формата Full HD объемом 5 ГБ (типичный фильм длительностью 90 мин) с одного накопителя на другой потребуется около трех секунд, а загрузка такого же файла из сети займет ровно вдвое больше времени – шесть секунд. Производительность на операциях с произвольным доступом в режиме чтения и записи заявлена на уровне 90 000 IOPS и 150 000 IOPS соответственно.

Накопитель PM971-NVMe будет выпускаться в вариантах объемом 128, 256 и 512 ГБ. Начало поставок намечено на этот месяц, так что появления первых устройств с этими накопителями можно ожидать уже к концу этого года.